型号: JTDB75
功能描述:
制造商: Microsemi
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 55V
频率 - 跃迁： 960MHz ~ 1.215GHz
增益： 7dB ~ 8.2dB
功率 - 最大值： 220W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 20 @ 1A，5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 8A
工作温度： 200°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： 55AW
供应商器件封装： 55AW
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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