型号: K4T51163QG-HCF7000
功能描述: DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V Tray
制造商: Samsung Electronics
典型工作电源电压： 1.8
最大工作电流： 165
最高工作温度： 70
最大时钟频率： 800
数据总线宽度： 16
最低工作电源电压： 1.7
最大随机存取时间： 0.45
封装： Tray
地址总线宽度： 16
内部银行的数量： 4
最大工作电源电压： 1.9
每行字数： 8M
筛选等级： Commercial
组织： 32Mx16
最低工作温度： 0
类型： DDR2 SDRAM
密度： 512M
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Q Q:
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