型号: K4T51163QG-HCF7000
功能描述: DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V Tray
制造商: Samsung Electronics
典型工作电源电压: 1.8
最大工作电流: 165
最高工作温度: 70
最大时钟频率: 800
数据总线宽度: 16
最低工作电源电压: 1.7
最大随机存取时间: 0.45
封装: Tray
地址总线宽度: 16
内部银行的数量: 4
最大工作电源电压: 1.9
每行字数: 8M
筛选等级: Commercial
组织: 32Mx16
最低工作温度: 0
类型: DDR2 SDRAM
密度: 512M
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