型号: KFG1216Q2B-DEB8000
功能描述: 256M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
制造商: Samsung Electronics
典型工作电源电压： 1.8
最大工作电流： 40
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 85
最低工作温度： -30
最大工作电源电压： 1.95
每字位数： 16
最大随机存取时间： 8
电池类型： NAND
封装： Tray
定时类型： Synchronous
地址总线宽度： 16
建筑： Non Sectored
筛选等级： Extended
引导块： No
编程电压： 1.8
密度： 512M
最低工作电源电压： 1.7
字数： 32M
块组织： Asymmetrical
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