型号: KGF6N05D-400
功能描述: IC MOSFET N-CH
制造商: Renesas Electronics America Inc
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: 2 N 沟道（双）共源
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 5.5V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 0.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 4nC @ 3.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 630pF @ 5.5V
功率 - 最大值: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 20-UFLGA，CSP
供应商器件封装: 20-WLCSP（2.48x1.17）
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