型号: KGF6N05D-400
功能描述: IC MOSFET N-CH
制造商: Renesas Electronics America Inc
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: 2 N 沟道(双)共源
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 5.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 12A(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 3 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 0.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 4nC @ 3.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 630pF @ 5.5V
功率 - 最大值: 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 20-UFLGA,CSP
供应商器件封装: 20-WLCSP(2.48x1.17)
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