型号: KI2310DS
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道
制造商: KEXIN(科信)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 6.5A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 22mΩ @ 6.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.3W
类型: N沟道
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