型号: KI4435DY
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
制造商: KEXIN(科信)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.8A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W
类型: P沟道
联系人：Alien
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