型号: KI8205T
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 3.4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道(共漏)
制造商: KEXIN(科信)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): -20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 4.3A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 46mΩ @ 3.4A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.25W
类型: 双N沟道(共漏)
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