型号: KIA16N50H
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 16A
栅源极阈值电压: 5V @ 250uA
漏源导通电阻: 380mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 38.5W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：赵先生
电话：18926015852
Q Q:
联系人：刘力
电话：021-54289968
Q Q:
联系人：楊
电话：1342-4228536
Q Q:
