型号: KIA20N50H
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 260mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 280W
类型: N沟道
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：谢小姐
电话：13088842066
Q Q:
联系人：陈燕妹
电话：13424205415
Q Q:
联系人：李生
电话：15986772069
Q Q:
