型号: KIA3407
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.1A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 60mΩ @ 4.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W
类型: P沟道
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