型号: KIA4750SD
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 类型:N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 9A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 900mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 120W
类型: N沟道
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