型号: KIA6035AD
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：350V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：99W(Tc) 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 350V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 11A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 480mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 99W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：秦小姐，林小姐
电话：18719446697
Q Q:
联系人：贺
电话：13392192491
Q Q:
