型号: KNE4603A2
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.5W
类型: 双N沟道
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