型号: KNF7150A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 300mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 60W(Tc)
类型: N沟道
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：赖先生
电话：13143380729
Q Q:
联系人：于简
电话：13632927780
Q Q:
联系人：谢小姐
电话：19849363771
Q Q:
