型号: KNH8150A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：333W 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 30A
栅源极阈值电压: 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 200mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 333W
类型: N沟道
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