型号: KSB1017RTU
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
最大工作频率: 9 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Rail
功率耗散: 25000 mW
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