型号: KSB1151YSTU
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-126-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 60 V
集电极—基极电压 VCBO: - 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 7 V
集电极—射极饱和电压: - 0.14 V
最大直流电集电极电流: 5 A
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: KSB1151
直流电流增益 hFE 最大值: 400
高度: 1.5 mm
长度: 8 mm
封装: Tube
宽度: 3.25 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
Pd-功率耗散: 20 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1920
子类别: Transistors
零件号别名: KSB1151YSTU_NL
单位重量: 761 mg
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