型号: KSB811GTA_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200 at 100 mA at 1 V
配置: Single
最大工作频率: 110 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92S
封装: Ammo
集电极连续电流: - 1 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 350 mW
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