型号: KSC5367
功能描述: isc Silicon NPN Power Transistor
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 800 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
最大直流电集电极电流: 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 12
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 80000 mW
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