型号:  KSC5502DTTU

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trip Dif Planar Silicon Transistor

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  600 V

集电极—基极电压 VCBO:  1.2 kV

发射极 - 基极电压 VEBO:  12 V

最大直流电集电极电流:  2 A

增益带宽产品fT:  11 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  KSC5502DT

高度:  9.4 mm

长度:  10.1 mm

封装:  Tube

宽度:  4.7 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min:  15

Pd-功率耗散:  50000 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  Transistors

单位重量:  1.800 g