型号: KSD2012GTU
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
集电极—射极饱和电压: 0.4 V
最大直流电集电极电流: 3 A
增益带宽产品fT: 3 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: KSD2012
直流电流增益 hFE 最大值: 320
高度: 9.19 mm
长度: 10.16 mm
封装: Tube
宽度: 4.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 3 A
Pd-功率耗散: 25 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 2.270 g
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