型号: KSD261GTA_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200 at 0.1 A at 1 V
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Ammo
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
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Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
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联系人：罗先生
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Q Q:
联系人：周
Q Q:
联系人：韦
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Q Q:
联系人：李亨
电话：13148810005
Q Q:
