型号:  KSD363RTU

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  120 V

集电极—基极电压 VCBO:  300 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  8 V

集电极—射极饱和电压:  1 V

最大直流电集电极电流:  6 A

增益带宽产品fT:  10 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  KSD363

高度:  9.4 mm (Max)

长度:  10.1 mm (Max)

封装:  Tube

宽度:  4.7 mm (Max)

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min:  40

Pd-功率耗散:  40000 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  Transistors

单位重量:  1.800 g