型号: KSP12BU_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V
最大集电极截止电流: 0.1 uA
功率耗散: 625 mW
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Bulk
直流集电极/Base Gain hfe Min: 20000
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