型号: KST06MTF_Q
功能描述: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
制造商: Fairchild Semiconductor
配置： Single
晶体管极性： NPN
集电极—基极电压 VCBO： 80 V
集电极—发射极最大电压 VCEO： 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO： 4 V
最大直流电集电极电流： 0.5 A
增益带宽产品fT： 100 MHz
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOT-23
商标： Fairchild Semiconductor
集电极连续电流： 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min： 50
最大功率耗散： 350 mW
封装： Reel
系列： KST06
工厂包装数量： 15000
ROHS： 含铅
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