型号: KST06MTF_Q
功能描述: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
制造商: Fairchild Semiconductor
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
最大直流电集电极电流: 0.5 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
商标: Fairchild Semiconductor
集电极连续电流: 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50
最大功率耗散: 350 mW
封装: Reel
系列: KST06
工厂包装数量: 15000
ROHS: 含铅
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