型号: KST55
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: PNP
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
最大直流电集电极电流: 0.5 A
增益带宽产品fT: 50 MHz (Min)
最大工作温度: + 150 C
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50 at 10 mA at 1 V
Pd-功率耗散: 350 mW
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