型号:  KVR1333D3N9K2/8G

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R

制造商:  kingston technology

包装：  6MicroFET EP

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  11 A

RDS -于：  13@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  8 ns

典型上升时间：  3 ns

典型关闭延迟时间：  19 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Trays

模块类型：  240DIMM

子类别：  DDR3 SDRAM

主要类别：  DRAM Module

组织：  512Mx64x2

PCB：  240

典型工作电源电压：  1.5

总密度：  8Gbyte

最低工作温度：  0

供应商封装形式：  DIMM

标准包装名称：  DIMM

最高工作温度：  85

最大时钟频率：  1333

数据总线宽度：  64

每个模块的芯片数量：  32

欧盟RoHS指令：  Supplier Unconfirmed

芯片密度：  2G

包装长度：  133.35

最低工作电源电压：  1.425

引脚数：  240

芯片封装类型：  FBGA

包装高度：  18.75

最大工作电源电压：  1.575

铅形状：  No Lead