型号: L6389EDTR
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 17V（最大）
逻辑电压 - VIL，VIH： 1.1V，1.8V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 400mA，650mA
输入类型： 反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 70ns，40ns
工作温度： -45°C ~ 125°C（TJ）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
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Q Q:
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联系人：陈晓玲
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联系人：李生
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Q Q:
