型号: L6491D
功能描述: High voltage high and low-side 4 A gate driver
制造商: STMicroelectronics
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 1.45V，2V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 4A，4A
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 15ns，15ns
工作温度： -40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 14-SO
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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