型号: LET9120
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 18 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
增益: 18 dB
输出功率: 120 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: M246
封装: Bulk
配置: Dual
工作频率: 1.6 GHz
系列: LET9120
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
Pd-功率耗散: 200 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 60
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
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