型号: LM5109BQNGTRQ1
功能描述:
制造商: Texas Instruments
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 8 V ~ 14 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 1A，1A
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 108V
上升/下降时间（典型值）： 15ns，15ns
工作温度： -40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-WSON（4x4）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：余亮
电话：15817462164
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：雷丽辉
电话：13543309236
Q Q:
联系人：郑叶
电话：18901815555
Q Q:
联系人：梁生
电话：13556878030
Q Q:
