型号:  LMG1210RVRT

功能描述:  门驱动器 EGAN FET 200V HALF-BRIDGE DRIVER

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  门驱动器

RoHS:  是

产品:  MOSFET Gate Drivers

类型:  High Side, Low Side

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  WQFN-19

激励器数量:  2 Driver

输出端数量:  2 Output

输出电流:  3 A

上升时间:  0.5 ns

下降时间:  0.5 ns

电源电压-最小:  4.75 V

电源电压-最大:  18 V

传播延迟—最大值:  20 ns

工作电源电流:  380 uA

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 125 C

系列:  LMG1210

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

工作温度范围:  - 40 C to + 125 C

输出电压:  5 V

技术:  GaN

商标:  Texas Instruments

逻辑类型:  TTL

空闲时间—最大值:  18 ns

最大关闭延迟时间:  18 ns

最大开启延迟时间:  18 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  Gate Drivers

Rds On-漏源导通电阻:  400 mOhms

工厂包装数量:  250

子类别:  PMIC - Power Management ICs