型号: LNC08R220
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：92W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 45A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 22mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 92W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13539053038
Q Q:
联系人：李太
电话：13537589664
Q Q:
联系人：夏辉
电话：13828713911
Q Q:
