型号: LNC7N60D
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.3Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 100W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：廖女士
电话：13267152167
Q Q:
联系人：许小姐
Q Q:
联系人：翁万吉
Q Q:
