型号: LND01K1-G
功能描述: MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-5
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 9 V
Id-连续漏极电流: 330 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 600 mV
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 360 mW
配置: Single
通道模式: Depletion
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: LND01
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Microchip Technology
下降时间: 6.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 1 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
单位重量: 6.300 mg
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