型号:  LND150N3-G

功能描述:  MOSFET 500V 1KOhm

制造商:  Microchip Technology

制造商:  Microchip

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  500 V

Id-连续漏极电流:  30 mA

Rds On-漏源导通电阻:  1 kOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  740 mW

配置:  Single

通道模式:  Depletion

封装:  Bulk

高度:  5.33 mm

长度:  5.21 mm

产品:  MOSFET Small Signal

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  FET

宽度:  4.19 mm

商标:  Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:  1 mOhms

下降时间:  1.3 us

产品类型:  MOSFET

上升时间:  0.45 us

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  100 ns

典型接通延迟时间:  90 ns

单位重量:  220 mg