型号: LND18N50
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 280mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 54W(Tc)
类型: N沟道
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