型号: LND2N65
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27W 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.2Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 27W
类型: N沟道
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