型号: LNE10R180
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):147W(Tc) 类型:N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 18mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 147W(Tc)
类型: N沟道
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