型号: LNF4N65
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.7Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 77W
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：周
电话：13539687799
Q Q:
联系人：郭女士
Q Q:
联系人：赵
Q Q:
