型号: LNH2N65
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.2Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 35W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：张泽冬
电话：13570887584
Q Q:
联系人：吴先生，刘先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：苏琳琳
电话：13316961169
Q Q:
