型号: LNH7N65D
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 100W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：郑先生
Q Q:
联系人：吴优
电话：13544290005
Q Q:
联系人：陈
电话：15889366321
Q Q:
