型号: LNL04R075
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 18A
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 7.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 3.1W
类型: N沟道
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