型号: LNL04R075
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18A
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 7.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：钟先生
电话：13651452793
Q Q:
联系人：杨军学
电话：13424281644
Q Q:
联系人：黄女士
电话：18922814044
Q Q:
