型号: LSB55R140GT
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 550V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 23A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 140mΩ @ 11.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 205W(Tc)
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：詹R
电话：0755-6546516
Q Q:
联系人：李亿
电话：15875549923
Q Q:
联系人：黄工
电话：18201635651
Q Q:
