型号: LSB65R180GF
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A(Tc)
栅源极阈值电压: 5V @ 250uA
漏源导通电阻: 180mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 205W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：郑S
电话：61303950
Q Q:
联系人：林宇
电话：13164730858
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13312945979
Q Q:
