型号: LSD65R380GF
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 11A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 380mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 33W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：刘波
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
联系人：王小飞
电话：18768342458
Q Q:
