型号: LSE80R350GT
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 800V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 15A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 350mΩ @ 7.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：何志平
电话：15307359078
Q Q:
联系人：童喆
电话：18923465765
Q Q:
联系人：谢梓云
电话：19924902278
Q Q:
