型号: LSGG10R085W3
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 65A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 8.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 96W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：李生
电话：13922231491
Q Q:
联系人：王S
电话：18833053628
Q Q:
联系人：张恒
电话：13823130171
Q Q:
