型号: M59DR008E120ZB6T
功能描述: 闪存 8M (512Kx16) 120ns
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 闪存
结构: Block Erase
存储类型: NOR
存储容量: 8 Mbit
速度: 120 ns
接口类型: Parallel
电源电压-最大: 2.2 V
电源电压-最小: 1.65 V
电源电流—最大值: 20 mA
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TFBGA-48
封装: Reel
商标: STMicroelectronics
数据总线宽度: 16 bit
组织: 512 k x 16
系列: M59DR
工厂包装数量: 2500
定时类型: Asynchronous
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：余亮
电话：15817462164
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：蔡
电话：13249556623
Q Q:
联系人：吴生
电话：13510538528
Q Q:
联系人：周先生
电话：13266507502
Q Q:
