型号: M59DR008E120ZB6T
功能描述: 闪存 8M (512Kx16) 120ns
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 闪存
结构: Block Erase
存储类型: NOR
存储容量: 8 Mbit
速度: 120 ns
接口类型: Parallel
电源电压-最大: 2.2 V
电源电压-最小: 1.65 V
电源电流—最大值: 20 mA
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TFBGA-48
封装: Reel
商标: STMicroelectronics
数据总线宽度: 16 bit
组织: 512 k x 16
系列: M59DR
工厂包装数量: 2500
定时类型: Asynchronous
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：陈生
电话：13537702078
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：李生
电话：13602549709
Q Q:
联系人：黄晓滨
电话：82807189
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：13760147243
Q Q:
