型号: MAGX-000040-0050TP
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
制造商: MACOM
制造商: MACOM
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 13.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Id-连续漏极电流: 0.3 A
输出功率: 5 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 95 C
Pd-功率耗散: 12 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
封装: Reel
工作频率: 4 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 95 C
类型: GaN SiC HEMT
商标: MACOM
正向跨导 - 最小值: 0.1 S
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
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